ALD1115SAL

Advanced Linear Devices 先进线性电子主动器件

MOSFET N/P-CH 10.6V 8SOIC

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道互补型 10.6V - 500mW 表面贴装型 8-SOIC

得捷:
MOSFET N/P-CH 10.6V 8SOIC

DeviceMart:
MOSFET N/P-CH 13.2V 8SOIC

ALD1115SAL中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 500 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 500 mW

漏源极电压Vds 10.6 V

漏源击穿电压 ±12.0 V

栅源击穿电压 13.2 V

输入电容Ciss 3pF @5VVds

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

ALD1115SAL引脚图与封装图

ALD1115SAL引脚图

ALD1115SAL封装图

ALD1115SAL封装焊盘图

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