AOT286L

Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体分立器件

TO-220 N-CH 80V 70A

N-Channel 80V 13A Ta, 70A Tc 2.1W Ta, 167W Tc Through Hole TO-220

得捷:
MOSFET N-CH 80V 13A/70A TO220

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 80V 70A 3-Pin3+Tab TO-220

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 83W; TO220

AOT286L中文资料参数规格

技术参数

额定功率 83 W

极性 N-CH

耗散功率 2.1W Ta, 167W Tc

漏源极电压Vds 80 V

连续漏极电流Ids 70A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 3142pF @40VVds

额定功率Max 167 W

下降时间 11 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.1W Ta, 167W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

AOT286L引脚图与封装图

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