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AOB412L
Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 分立器件

D2PAK N-CH 100V 60A

表面贴装型 N 通道 100 V 8.2A(Ta),60A(Tc) 2.6W(Ta),150W(Tc) TO-263(D²Pak)


得捷:
MOSFET N-CH 100V 8.2A/60A TO263


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin2+Tab D2PAK


Win Source:
100V N-Channel MOSFET


AOB412L中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.6W Ta, 150W Tc

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 60A

上升时间 16 ns

输入电容Ciss 3220pF @50VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.6W Ta, 150W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

AOB412L引脚图与封装图
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