AOI444
数据手册.pdf
Alpha & Omega Semiconductor
万代半导体
分立器件
极性 N-CH
耗散功率 2.1W Ta, 20W Tc
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 12A
上升时间 3.4 ns
输入电容Ciss 540pF @30VVds
额定功率Max 2.1 W
下降时间 2 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.1W Ta, 20W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: AOI444 品牌: Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 封装: TO N-CH 60V 12A | 当前型号 | 60V,12A,N沟道MOSFET | 当前型号 | |
型号: AOD444 品牌: 万代半导体 封装: DPAK N-CH 60V 12A | 功能相似 | 60V,12A,N沟道MOSFET | AOI444和AOD444的区别 |