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AOI444
Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 分立器件

60V,12A,N沟道MOSFET

N-Channel 60V 4A Ta, 12A Tc 2.1W Ta, 20W Tc Through Hole TO-251A


得捷:
MOSFET N-CH 60V 4A/12A TO251A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin3+Tab TO-251A


力源芯城:
60V,12A,N沟道MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 4A TO251A


AOI444中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.1W Ta, 20W Tc

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 12A

上升时间 3.4 ns

输入电容Ciss 540pF @30VVds

额定功率Max 2.1 W

下降时间 2 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.1W Ta, 20W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

AOI444引脚图与封装图
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型号: AOI444

品牌: Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体

封装: TO N-CH 60V 12A

当前型号

60V,12A,N沟道MOSFET

当前型号

型号: AOD444

品牌: 万代半导体

封装: DPAK N-CH 60V 12A

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