额定功率 31 W
极性 P-CH
耗散功率 62.5 W
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 50A
输入电容Ciss 2550pF @20VVds
额定功率Max 62.5 W
耗散功率Max 2.5W Ta, 62.5W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: AOD4185 品牌: Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 封装: DPAK P-CH 40V 50A | 当前型号 | -40V,-40A,P沟道MOSFET | 当前型号 | |
型号: IPD50P04P4L-11 品牌: 英飞凌 封装: PG-TO252-3-313 P-Channel 40V 50A | 功能相似 | INFINEON IPD50P04P4L-11 晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -40 V, 0.0082 ohm, -10 V, -1.7 V | AOD4185和IPD50P04P4L-11的区别 | |
型号: SUD50P04-08-GE3 品牌: Vishay Siliconix 封装: TO-252-3 | 功能相似 | Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3Pin2+Tab DPAK | AOD4185和SUD50P04-08-GE3的区别 | |
型号: AOI4185 品牌: 万代半导体 封装: TO P-CH 40V 50A | 功能相似 | TO-251A P-CH 40V 50A | AOD4185和AOI4185的区别 |