AOT1N60

Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体分立器件

N沟道 600V 1.3A

N-Channel 600V 1.3A Tc 41.7W Tc Through Hole TO-220

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N沟道 600V 1.3A

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MOSFET N-CH 600V 1.3A TO220

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.8A; TO220

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MOSFET N-CH 600V 1.3A TO-220

AOT1N60中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 41.7 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 1.3A

上升时间 6.7 ns

输入电容Ciss 160pF @25VVds

额定功率Max 41.7 W

下降时间 11.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 41.7W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

AOT1N60引脚图与封装图

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