AOT1100L

Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体分立器件

TO-220 N-CH 100V 130A

N-Channel 100V 8A Ta, 130A Tc 2.1W Ta, 500W Tc Through Hole TO-220

得捷:
MOSFET N-CH 100V 8A/130A TO220

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin3+Tab TO-220 T/R

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 92A; 250W; TO220

Win Source:
100V N-Channel Rugged Planar MOSFET

AOT1100L中文资料参数规格

技术参数

额定功率 250 W

极性 N-CH

耗散功率 2.1W Ta, 500W Tc

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 130A

输入电容Ciss 4833pF @25VVds

耗散功率Max 2.1W Ta, 500W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube, Rail

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

AOT1100L引脚图与封装图

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