AM29F010B-70JI
数据手册.pdf
Spansion
飞索半导体
主动器件
AM29F010B-70JI中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 4.50V min
存取时间 70 ns
内存容量 125000 B
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 4.5 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 32
封装 PLCC-32
外形尺寸
封装 PLCC-32
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Each
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
AM29F010B-70JI引脚图与封装图
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在线购买AM29F010B-70JI
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| AM29F010B-70JI | Spansion 飞索半导体 | SPANSION AM29F010B-70JI Flash Memory, 1Mbit, 128K x 8Bit, CFI, Parallel, LCC, 32Pins | 搜索库存 |
替代型号AM29F010B-70JI
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： AM29F010B-70JI 品牌： Spansion 飞索半导体 封装： PLCC 125000B 4.5V 32Pin | 当前型号 | SPANSION AM29F010B-70JI Flash Memory, 1Mbit, 128K x 8Bit, CFI, Parallel, LCC, 32Pins | 当前型号 |
| 型号： SST39SF010A-70-4I-NHE 品牌： 微芯 封装： LCC 125000B 4.5V 32Pin | 完全替代 | SST39SF010A/020A/040 并行 SuperFlash® 存储器Microchip 的 SST39SF010A/020A/040 系列设备为并行多用途 SuperFlash® 存储集成电路。### 特点4.5-5.5V 读写操作 寿命 - 100,000 次循环（典型） 低功耗 - 有源电流 10 mA，待机电流 30 μA（14 MHz 时的典型值） 扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区 读取访问时间 - 55 至 70 ns 扇区擦除时间 18 ms 芯片擦除时间：70 ms（典型） 字节编程时间 - 14 μs（典型） 芯片重写时间 – SST39SF010A 2 秒、SST39SF020A 4 秒、SST39SF040 8 秒（典型值） 锁存地址和数据 自动写入计时 - 内部 VPP 生成 写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询 TTL 输入/输出兼容性 JEDEC 标准 - 闪存 EEPROM 引脚输出和命令套件 ### 闪存，Microchip | AM29F010B-70JI和SST39SF010A-70-4I-NHE的区别 |
| 型号： SST39SF010A-70-4C-NHE 品牌： 微芯 封装： LCC 125000B 4.5V 32Pin | 功能相似 | MICROCHIP SST39SF010A-70-4C-NHE 闪存, 1 Mbit, 128K x 8位, 14 MHz, 并行, LCC, 32 引脚 | AM29F010B-70JI和SST39SF010A-70-4C-NHE的区别 |
| 型号： M29F010B70K6E 品牌： 意法半导体 封装： PLCC | 功能相似 | 1兆位128KB X8 ，统一座单电源闪存 1 Mbit 128Kb x8, Uniform Block Single Supply Flash Memory | AM29F010B-70JI和M29F010B70K6E的区别 |