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AS6C4016-55BIN

AS6C4016-55BIN

数据手册.pdf

ALLIANCE MEMORY AS6C4016-55BIN SRAM, 4Mb, 256K x 16Bit, 2.7V to 5.5V, TFBGA, 48Pins, 55ns

SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb 256K x 16 Parallel 55ns 48-TFBGA 6x8


得捷:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA


贸泽:
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 256K x 16 Asyn SRAM


安富利:
SRAM Chip Async Single 3V 4M-Bit 256K x 16 55ns 48-Pin TFBGA


TME:
Memory; SRAM, asynchronous; 256kx16bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA48


AS6C4016-55BIN中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 2.70V min

工作电压 2.7V ~ 5.5V

存取时间 55 ns

内存容量 4000000 B

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 48

封装 TFBGA-48

外形尺寸

封装 TFBGA-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

AS6C4016-55BIN引脚图与封装图
AS6C4016-55BIN引脚图

AS6C4016-55BIN引脚图

AS6C4016-55BIN封装图

AS6C4016-55BIN封装图

AS6C4016-55BIN封装焊盘图

AS6C4016-55BIN封装焊盘图

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AS6C4016-55BIN Alliance Memory 联盟记忆 ALLIANCE MEMORY AS6C4016-55BIN SRAM, 4Mb, 256K x 16Bit, 2.7V to 5.5V, TFBGA, 48Pins, 55ns 搜索库存