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TK12E80W,S1X

Toshiba 东芝 电子元器件分类

X35 Pb-f Power Mosfet Transistor To-220sis Pd=45W f=1MHz

N-Channel 800V 11.5A Ta 165W Tc Through Hole TO-220


得捷:
MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220


贸泽:
MOSFET N-Ch 800V 1400pF 23nC 11.5A 165W


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 800V 11.5A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TK12E80W,S1X中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 165 W

漏源极电压Vds 800 V

上升时间 40 ns

输入电容Ciss 1400pF @300VVds

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 165W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150 ℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

TK12E80W,S1X引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
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