TK12E80W,S1X
Toshiba
东芝
电子元器件分类
耗散功率 165 W
漏源极电压Vds 800 V
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 1400pF @300VVds
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 165W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 150 ℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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TK12E80W,S1X | Toshiba 东芝 | X35 Pb-f Power Mosfet Transistor To-220sis Pd=45W f=1MHz | 搜索库存 |