2N5564-E3
Vishay Siliconix
主动器件
2N5564-E3中文资料参数规格
技术参数
额定电流 50.0 mA
极性 Dual N-Channel
耗散功率 500 mW
栅源击穿电压 -40.0 V
连续漏极电流Ids 30.0 mA
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-71
外形尺寸
封装 TO-71
其他
包装方式 Box
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2N5564-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| 2N5564-E3 | Vishay Siliconix | JFET 40V 5mA | 搜索库存 |