NSS20201LT1G
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
NSS20201LT1G中文资料参数规格
技术参数
频率 150 MHz
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 540 mW
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 200 @500mA, 2V
额定功率Max 460 mW
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 540 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
NSS20201LT1G引脚图与封装图
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在线购买NSS20201LT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NSS20201LT1G | ON Semiconductor 安森美 | NSS 系列 20 V 2 A 表面贴装 低 Vce NPN 晶体管 - SOT-23 | 搜索库存 |
替代型号NSS20201LT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： NSS20201LT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23-3 NPN 540mW | 当前型号 | NSS 系列 20 V 2 A 表面贴装 低 Vce NPN 晶体管 - SOT-23 | 当前型号 |
| 型号： NSV20201LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23-3 NPN 540mW | 类似代替 | NSS20201L: 低饱和压 晶体管，NPN，20 V，4.0 A | NSS20201LT1G和NSV20201LT1G的区别 |
| 型号： BFS19,215 品牌： 恩智浦 封装： TO-236AB NPN 0.25W | 功能相似 | NXP BFS19,215 单晶体管 双极, NPN, 20 V, 260 MHz, 250 mW, 30 mA, 65 hFE | NSS20201LT1G和BFS19,215的区别 |