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IRF3708PBF

IRF3708PBF

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Infineon 英飞凌 分立器件

INFINEON  IRF3708PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 62 A, 30 V, 12 mohm, 10 V, 2 V

N 通道功率 MOSFET,30V,

Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

IRF3708PBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 87 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.012 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 87 W

阈值电压 2 V

输入电容 2417 pF

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 62A

上升时间 50 ns

输入电容Ciss 2417pF @15VVds

额定功率Max 87 W

下降时间 3.7 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 87W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

高度 8.77 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 电源管理, Portable Devices, 工业, Consumer Electronics, 消费电子产品, 便携式器材, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

IRF3708PBF引脚图与封装图
IRF3708PBF引脚图

IRF3708PBF引脚图

IRF3708PBF封装焊盘图

IRF3708PBF封装焊盘图

在线购买IRF3708PBF
型号 制造商 描述 购买
IRF3708PBF Infineon 英飞凌 INFINEON  IRF3708PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 62 A, 30 V, 12 mohm, 10 V, 2 V 搜索库存
替代型号IRF3708PBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRF3708PBF

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-220AB N-Channel 30V 62A

当前型号

INFINEON  IRF3708PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 62 A, 30 V, 12 mohm, 10 V, 2 V

当前型号

型号: IRLB8721PBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-CH 30V 62A

类似代替

INFINEON  IRLB8721PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 30 V, 0.0065 ohm, 10 V, 1.8 V

IRF3708PBF和IRLB8721PBF的区别

型号: IRF3708

品牌: 英飞凌

封装: TO-220AB N-CH 30V 62A

类似代替

TO-220AB N-CH 30V 62A

IRF3708PBF和IRF3708的区别