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IRL3705NPBF

IRL3705NPBF

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Infineon 英飞凌 分立器件

INFINEON  IRL3705NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 77 A, 55 V, 10 mohm, 10 V, 2 V

N 通道功率 MOSFET,55V,

Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

IRL3705NPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 130 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.01 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 130 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 89A

上升时间 140 ns

输入电容Ciss 3600pF @25VVds

额定功率Max 170 W

下降时间 78 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 170W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 8.77 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 工业, Power Management, Industrial, Commercial, 商业, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

IRL3705NPBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRL3705NPBF Infineon 英飞凌 INFINEON  IRL3705NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 77 A, 55 V, 10 mohm, 10 V, 2 V 搜索库存
替代型号IRL3705NPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRL3705NPBF

品牌: Infineon 英飞凌

封装: REEL N-Channel 55V 89A

当前型号

INFINEON  IRL3705NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 77 A, 55 V, 10 mohm, 10 V, 2 V

当前型号

型号: IRLB3036PBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 60V 270A

类似代替

INFINEON  IRLB3036PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 165 A, 60 V, 0.0019 ohm, 10 V, 2.5 V

IRL3705NPBF和IRLB3036PBF的区别

型号: AUIRL3705N

品牌: 英飞凌

封装: TO-220AB N-CH 55V 89A

类似代替

INFINEON  AUIRL3705N  晶体管, MOSFET, N沟道, 89 A, 55 V, 0.01 ohm, 10 V, 1 V

IRL3705NPBF和AUIRL3705N的区别

型号: IRL3705N

品牌: 英飞凌

封装: TO-220 N-CH 55V 89A

功能相似

TO-220AB N-CH 55V 89A

IRL3705NPBF和IRL3705N的区别