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PTN1206E85R6BST1

PTN1206E85R6BST1

数据手册.pdf
Vishay Semiconductor 威世 被动器件
PTN1206E85R6BST1中文资料参数规格
技术参数

工作电压 200 V

额定功率 400 W

电阻 85.6 Ω

阻值偏差 ±0.1 %

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 3216

封装 1206

外形尺寸

长度 3.20 mm

宽度 1.60 mm

封装公制 3216

封装 1206

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PTN1206E85R6BST1引脚图与封装图
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PTN1206E85R6BST1 Vishay Semiconductor 威世 RES SMD 85.6Ω 0.1% 0.4W 1206 搜索库存