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TH3C106M025D1100

TH3C106M025D1100

数据手册.pdf
Vishay Semiconductor 威世 被动器件
TH3C106M025D1100中文资料参数规格
技术参数

等效串联电阻ESR 1.1 Ω

容差 ±20 %

额定电压 25 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 6032

外形尺寸

封装 6032

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TH3C106M025D1100引脚图与封装图
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TH3C106M025D1100 Vishay Semiconductor 威世 Cap Tant Solid 10uF 25V C CASE 20% 6 X 3.2 X 2.5mm SMD 6032-28 1.1Ω 150℃ T/R 搜索库存
替代型号TH3C106M025D1100
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: TH3C106M025D1100

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装:

当前型号

Cap Tant Solid 10uF 25V C CASE 20% 6 X 3.2 X 2.5mm SMD 6032-28 1.1Ω 150℃ T/R

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