P-2010H8251FBT0
VISHAY
威世
电子元器件分类
P-2010H8251FBT0中文资料参数规格
技术参数
额定功率 0.8 W
电阻 8.25 KΩ
工作温度Max 155 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
封装 2010
外形尺寸
高度 0.84 mm
封装 2010
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
P-2010H8251FBT0引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| P-2010H8251FBT0 | VISHAY 威世 | Res Thin Film 2010 8.25K Ohm 1% 0.8W ±50ppm/°C Sulfur Resistant Pad SMD T/R | 搜索库存 |