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743C083560JTR

743C083560JTR

数据手册.pdf
CTS 西迪斯 被动器件

RES ARRAY 4 RES 56Ω 2008

56 欧姆 ±5% 100mW 每元件功率 隔离 4 器网络,阵列 ±200ppm/°C 2008,凹陷,长边端子


得捷:
RES ARRAY 4 RES 56 OHM 2008


743C083560JTR中文资料参数规格
技术参数

触点数 8

额定电压DC 100 V

容差 ±5 %

电阻 56 Ω

阻值偏差 ±5 %

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

外形尺寸

长度 5.08 mm

宽度 2.00 mm

高度 600 µm

厚度 600 µm

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

温度系数 ±200 ppm/℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 -

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

743C083560JTR引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
743C083560JTR CTS 西迪斯 RES ARRAY 4 RES 56Ω 2008 搜索库存
替代型号743C083560JTR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 743C083560JTR

品牌: CTS 西迪斯

封装: 56ohms 5per 100V

当前型号

RES ARRAY 4 RES 56Ω 2008

当前型号

型号: 743C083560JP

品牌: 西迪斯

封装: 0805 56ohms 5per 100V

完全替代

芯片电阻阵列 Chip Resistor Arrays

743C083560JTR和743C083560JP的区别