893D475X0035C2TE3
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Vishay Semiconductor
威世
电子元器件分类
893D475X0035C2TE3中文资料参数规格
技术参数
等效串联电阻ESR 1.8 Ω
容差 ±20 %
额定电压 35 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 6032
外形尺寸
封装 6032
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
893D475X0035C2TE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| 893D475X0035C2TE3 | Vishay Semiconductor 威世 | CAP TANT 4.7uF 35V 20% 2312 | 搜索库存 |
替代型号893D475X0035C2TE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： 893D475X0035C2TE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： | 当前型号 | CAP TANT 4.7uF 35V 20% 2312 | 当前型号 |
| 型号： T86C475M035EAAS 品牌： 威世 封装： 2312 | 完全替代 | CAP TANT 4.7uF 35V 20% 2312 | 893D475X0035C2TE3和T86C475M035EAAS的区别 |
| 型号： T86C475M035EASS 品牌： 威世 封装： 2312 | 完全替代 | CAP TANT 4.7uF 35V 20% 2312 | 893D475X0035C2TE3和T86C475M035EASS的区别 |
| 型号： T86C475M035EBAS 品牌： 威世 封装： 2312 | 完全替代 | CAP TANT 4.7uF 35V 20% 2312 | 893D475X0035C2TE3和T86C475M035EBAS的区别 |