893D226X0010C2TE3
数据手册.pdf
Vishay Semiconductor
威世
被动器件
893D226X0010C2TE3中文资料参数规格
技术参数
电容 22 µF
等效串联电阻ESR 1.4 Ω
容差 ±20 %
额定电压 10 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 6032
外形尺寸
封装 6032
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
893D226X0010C2TE3引脚图与封装图
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在线购买893D226X0010C2TE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 893D226X0010C2TE3 | Vishay Semiconductor 威世 | Cap Tant Solid 22uF 10V C CASE 20% 6 X 3.2 X 2.5mm SMD 6032-28 1.4Ω 125℃ T/R | 搜索库存 |
替代型号893D226X0010C2TE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 893D226X0010C2TE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： | 当前型号 | Cap Tant Solid 22uF 10V C CASE 20% 6 X 3.2 X 2.5mm SMD 6032-28 1.4Ω 125℃ T/R | 当前型号 |
| 型号： 893D226X9010C2TE3 品牌： 威世 封装： 2312 | 类似代替 | Cap Tant Solid 22uF 10V C CASE 10% 6 X 3.2 X 2.5mm SMD 6032-28 1.4Ω 125℃ T/R | 893D226X0010C2TE3和893D226X9010C2TE3的区别 |
| 型号： T86C226M6R3EAAS 品牌： 威世 封装： 2312 | 类似代替 | CAP TANT 22uF 6.3V 20% 2312 | 893D226X0010C2TE3和T86C226M6R3EAAS的区别 |
| 型号： T86C226M6R3EASS 品牌： 威世 封装： 2312 | 类似代替 | CAP TANT 22uF 6.3V 20% 2312 | 893D226X0010C2TE3和T86C226M6R3EASS的区别 |