199D226X9010C6V1E3
数据手册.pdf
Vishay Semiconductor
威世
被动器件
199D226X9010C6V1E3中文资料参数规格
技术参数
电容 22.0 µF
容差 ±10 %
额定电压 10 V
封装参数
安装方式 Through Hole
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
199D226X9010C6V1E3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买199D226X9010C6V1E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 199D226X9010C6V1E3 | Vishay Semiconductor 威世 | Cap Tant Solid 22uF 10V 10% 5.5 X 11.64mm Radial 5.08mm 125℃ Bulk | 搜索库存 |