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CY7C1460KV25-250BZC

Infineon 英飞凌 电子元器件分类

IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

SRAM - 同步,SDR 存储器 IC 36Mb(1M x 36) 并联 250 MHz 2.5 ns 165-FBGA(15x17)


得捷:
IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA


CY7C1460KV25-250BZC中文资料参数规格
其他

RoHS 状态 不符合 RoHS 规范

湿气敏感性等级 MSL 3(168 小时)

REACH 状态 非 REACH 产品

ECCN 3A991B2A

HTSUS 8542.32.0041

制造商 Infineon Technologies

系列 NoBL™

包装 托盘

Product Status 停产

存储器类型 易失

存储器格式 SRAM

技术 SRAM - 同步,SDR

存储容量 36Mb

存储器组织 1M x 36

存储器接口 并联

时钟频率 250 MHz

写周期时间 - 字,页 -

访问时间 2.5 ns

电压 - 供电 2.375V ~ 2.625V

工作温度 0°C ~ 70°C(TA)

安装类型 表面贴装型

封装/外壳 165-LBGA

供应商器件封装 165-FBGA(15x17)

基本产品编号 CY7C1460

符合标准

RoHS标准

CY7C1460KV25-250BZC引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
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