7200L20TP
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Integrated Device Technology
艾迪悌
主动器件
7200L20TP中文资料参数规格
技术参数
存取时间 20 ns
电源电压 4.5V ~ 5.5V
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 28
封装 DIP-28
外形尺寸
长度 34.3 mm
宽度 7.62 mm
封装 DIP-28
厚度 3.30 mm
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
7200L20TP引脚图与封装图
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在线购买7200L20TP
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 7200L20TP | Integrated Device Technology 艾迪悌 | IC MEM FIFO 256X9 20NS 28DIP | 搜索库存 |
替代型号7200L20TP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 7200L20TP 品牌： Integrated Device Technology 艾迪悌 封装： 28-DIP 28Pin | 当前型号 | IC MEM FIFO 256X9 20NS 28DIP | 当前型号 |
| 型号： 7200L12TPG 品牌： 艾迪悌 封装： 28-DIP | 功能相似 | 先进先出 ASYNCHRONOUS 先进先出 | 7200L20TP和7200L12TPG的区别 |
| 型号： 7200L20SO 品牌： 艾迪悌 封装： SOIC 28Pin | 功能相似 | FIFO Mem Async Dual Depth/Width Uni-Dir 256 x 9 28Pin SOIC Tube/Tray | 7200L20TP和7200L20SO的区别 |