71T75602S133PFGI
数据手册.pdf
Integrated Device Technology
艾迪悌
主动器件
71T75602S133PFGI中文资料参数规格
技术参数
供电电流 215 mA
存取时间 4.2 ns
存取时间Max 4.2 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 40 ℃
电源电压 2.375V ~ 2.625V
电源电压Max 2.625 V
电源电压Min 2.375 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 100
封装 TQFP-100
外形尺寸
长度 20 mm
宽度 14 mm
高度 1.4 mm
封装 TQFP-100
厚度 1.40 mm
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
71T75602S133PFGI引脚图与封装图
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在线购买71T75602S133PFGI
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 71T75602S133PFGI | Integrated Device Technology 艾迪悌 | SRAM Chip Sync Single 2.5V 18M-Bit 512K x 36 4.2ns 100Pin TQFP Tray | 搜索库存 |
替代型号71T75602S133PFGI
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 71T75602S133PFGI 品牌： Integrated Device Technology 艾迪悌 封装： TQFP 100Pin | 当前型号 | SRAM Chip Sync Single 2.5V 18M-Bit 512K x 36 4.2ns 100Pin TQFP Tray | 当前型号 |
| 型号： IDT71T75602S133PFI 品牌： 艾迪悌 封装： 100-TQFP | 完全替代 | 512K ×36 ， 1M ×18 2.5V同步ZBT⑩ SRAM的2.5VI / O，突发计数器输出流水线 512K x 36, 1M x 18 2.5V Synchronous ZBT⑩ SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs | 71T75602S133PFGI和IDT71T75602S133PFI的区别 |
| 型号： 71T75602S133PFG8 品牌： 艾迪悌 封装： TQFP 100Pin | 完全替代 | IC SRAM 18Mbit 133MHz 100TQFP | 71T75602S133PFGI和71T75602S133PFG8的区别 |
| 型号： 71T75602S133PFGI8 品牌： 艾迪悌 封装： TQFP 100Pin | 完全替代 | IC SRAM 18Mbit 133MHz 100TQFP | 71T75602S133PFGI和71T75602S133PFGI8的区别 |