2SD315AI-33
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Power Integrations
帕沃英蒂格盛
电子元器件分类
2SD315AI-33中文资料参数规格
技术参数
电源电压 15 V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 Module
外形尺寸
封装 Module
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
2SD315AI-33引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| 2SD315AI-33 | Power Integrations 帕沃英蒂格盛 | 半桥 IGBT MOSFET 灌:18A 拉:18A | 搜索库存 |
替代型号2SD315AI-33
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： 2SD315AI-33 品牌： Power Integrations 帕沃英蒂格盛 封装： | 当前型号 | 半桥 IGBT MOSFET 灌:18A 拉:18A | 当前型号 |