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2ED21834S06JXUMA1

Infineon 英飞凌 电子元器件分类

半桥 IGBT MOSFET 灌:2.5A 拉:2.5A

IC HALF BRIDGE GATE DRIVER 650V


欧时:
Infineon 2ED21834S06JXUMA1


得捷:
IC HALF BRIDGE GATE DRIVER 650V


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半桥 IGBT MOSFET 灌:2.5A 拉:2.5A


2ED21834S06JXUMA1中文资料参数规格
封装参数

封装 PG-DSO-14

外形尺寸

封装 PG-DSO-14

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 Compliant

2ED21834S06JXUMA1引脚图与封装图
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