2ED2181S06FXUMA1
Infineon
英飞凌
电子元器件分类
2ED2181S06FXUMA1中文资料参数规格
封装参数
封装 PG-DSO-8-53
外形尺寸
封装 PG-DSO-8-53
其他
上升/下降时间典型值 15ns,15ns
输入类型 非反相
电压-供电 10V ~ 20V
通道类型 同步
逻辑电压 -VIL,VIH 1.1V,1.7V
高压侧电压-最大值自举 650V
工作温度 -40°C ~ 125°CTA
封装/外壳 8-SOIC0.154"",3.90mm 宽
电流-峰值输出灌入,拉出 2.5A,2.5A
栅极类型 IGBT,N 沟道 MOSFET
驱动配置 高压侧或低压侧
驱动器数 1
符合标准
RoHS标准 Compliant
2ED2181S06FXUMA1引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2ED2181S06FXUMA1 | Infineon 英飞凌 | 低边 高边 IGBT MOSFET 灌:2.5A 拉:2.5A | 搜索库存 |