MMBT5401
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
MMBT5401中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
耗散功率 350 mW
击穿电压集电极-发射极 150 V
最小电流放大倍数hFE 50
额定功率Max 350 mW
直流电流增益hFE 240
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.96 mm
封装 SOT-23
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMBT5401引脚图与封装图
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在线购买MMBT5401
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBT5401 | ON Semiconductor 安森美 | MMBT5401系列 150 V CE击穿 0.6 A PNP 通用 放大器 - SOT-23 | 搜索库存 |
替代型号MMBT5401
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBT5401 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 350mW | 当前型号 | MMBT5401系列 150 V CE击穿 0.6 A PNP 通用 放大器 - SOT-23 | 当前型号 |
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