TN0200K-T1-E3
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Vishay Siliconix
分立器件
TN0200K-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 0.35 W
阈值电压 600 mV
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 730 mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 3.04 mm
高度 1.02 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TN0200K-T1-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| TN0200K-T1-E3 | Vishay Siliconix | TRANS MOSFET N-CH 20V 0.73A 3Pin TO-236 T/R | 搜索库存 |