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NTA4153NT1G

NTA4153NT1G

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ON Semiconductor 安森美 分立器件

N 通道功率 MOSFET，20V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 6V 最大漏极电流Id Drain Current| 915mA/0.915A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.23Ω/Ohm @600mA,4.5V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.45-1.1V 耗散功率Pd Power Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| Small Signal MOSFET 20 V, 915 mA, Single N−Channel with ESD Protection, SC−75 and SC−89 Load/Power Switches • Power Supply Converter Circuits • Battery Management • Portables like Cell Phones, PDAs, Digital Cameras, Pagers, etc. Features • Low RDSon Improving System Efficiency • Low Threshold Voltage, 1.5 V Rated • ESD Protected Gate • Pb−Free Packages are Available 描述与应用| 小信号MOSFET 20 V，915 mA时，单N沟道 具有ESD保护，SC-75和SC-89 负载/功率开关 •电源转换器电路 •电池管理 •便携设备，如手机，掌上电脑，数码相机，寻呼机等 •低的RDS（on） 提高系统效率 •低阈值电压，1.5 V额定 •ESD保护门 •无铅包可用

NTA4153NT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 20.0 V

额定电流 915 mA

针脚数 3

漏源极电阻 0.127 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 300 mW

阈值电压 760 mV

输入电容 110 pF

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 26 V

栅源击穿电压 ±6.00 V

连续漏极电流Ids 915 mA

上升时间 4.4 ns

输入电容Ciss 110pF @16VVds

额定功率Max 300 mW

下降时间 7.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-75-3

外形尺寸

长度 1.65 mm

宽度 1.6 mm

高度 0.8 mm

封装 SC-75-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, 工业, Industrial, Consumer Electronics, 计算机和计算机周边, Computers & Computer Peripherals, 电源管理, 消费电子产品

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

NTA4153NT1G引脚图与封装图
NTA4153NT1G引脚图

NTA4153NT1G引脚图

NTA4153NT1G封装图

NTA4153NT1G封装图

NTA4153NT1G封装焊盘图

NTA4153NT1G封装焊盘图

在线购买NTA4153NT1G
型号 制造商 描述 购买
NTA4153NT1G ON Semiconductor 安森美 N 通道功率 MOSFET，20V，ON Semiconductor ### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor 搜索库存
替代型号NTA4153NT1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： NTA4153NT1G

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： SOT-416 N-Channel 20V 915mA 500mohms

当前型号

N 通道功率 MOSFET，20V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor

当前型号

型号： NTE4153NT1G

品牌： 安森美

封装： SC-89 N-Channel 20V 915mA 500mohms

类似代替

N 通道功率 MOSFET，20V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor

NTA4153NT1G和NTE4153NT1G的区别

型号： NTA4153NT1

品牌： 安森美

封装： SOT-416 N-Channel 20V 915mA 500mΩ 110pF

类似代替

小信号MOSFET 20 V 915 mA时，单N通道带ESD保护， SC- 75和SC- 89 Small Signal MOSFET 20 V, 915 mA, Single N−Channel with ESD Protection, SC−75 and SC−89

NTA4153NT1G和NTA4153NT1的区别

型号： NTK3134NT1G

品牌： 安森美

封装： SOT-723 N-Channel 20V 890mA 200mohms

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  NTK3134NT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 890 mA, 20 V, 0.2 ohm, 4.5 V, 1.2 V

NTA4153NT1G和NTK3134NT1G的区别