SCH2807
数据手册.pdf
Sanyo Semiconductor
三洋
电子元器件分类
SCH2807中文资料参数规格
封装参数
封装 SOT-563
外形尺寸
封装 SOT-563
其他
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage N沟道 N-Channel
最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流IdDrain Current 15V
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance 1.2A
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage 320mΩ@ VGS =10V, ID =600mA
耗散功率PdPower Dissipation 1.2~2.6V
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SCH2807引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SCH2807 | Sanyo Semiconductor 三洋 | SCH2807 复合场效应管MOSFET+肖特基二极管 20V 1.2A 500mA/0.5A 0.46V SOT-563/SCH6 marking/标记 QG 低导通电阻/超高速开关/反向恢复时间短/低正向电压 | 搜索库存 |