PSI50/12
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Powersem
电子元器件分类
PSI50/12中文资料参数规格
技术参数
额定功率 208 W
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃
其他
Type of module IGBT
Semiconductor structure transistor/transistor
Topology IGBT half-bridge
Max. off-state voltage 1.2kV
Collector current 33A
Power 208W
Max. forward impulse current 50A
Case ECO-PAC 2
Application motors
Electrical mounting soldered
Mounting screw
Operating temperature -40...150°C
Gate-emitter voltage ±20V
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
PSI50/12引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PSI50/12 | Powersem | IGBT half-bridge; Urmax:1.2kV; Ic:33A; P:208W; Ifsm:50A; soldered | 搜索库存 |