
额定功率 59 W
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0025 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.6 W
阈值电压 1.8 V
输入电容 3180 pF
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 27A
上升时间 33 ns
输入电容Ciss 3180pF @10VVds
额定功率Max 3.6 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.6W Ta, 59W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerTDFN-8
长度 6 mm
宽度 5 mm
高度 0.83 mm
封装 PowerTDFN-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Point of Load ControlFET, Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs, Isolated Primary Side MOSFETs
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRFH8318TRPBF | Infineon 英飞凌 | IRFH8318TRPBF 编带 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRFH8318TRPBF 品牌: Infineon 英飞凌 封装: 8-PowerTDFN N-Channel 30V 27A | 当前型号 | IRFH8318TRPBF 编带 | 当前型号 | |
型号: IRFH8318TR2PBF 品牌: 英飞凌 封装: PQFN N-CH 30V 27A | 功能相似 | N 通道功率 MOSFET 50A 至 59A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。 | IRFH8318TRPBF和IRFH8318TR2PBF的区别 |