NTE4151P
ON Semiconductor
安森美
电子元器件分类
NTE4151P中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 360 mΩ
极性 P-CH
耗散功率 0.313 W
阈值电压 1.2 V
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 0.76A
封装参数
封装 SC-89-3
外形尺寸
封装 SC-89-3
其他
最小包装 3000
NTE4151P引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NTE4151P | ON Semiconductor 安森美 | 小信号MOSFET -20 V， -760毫安，单P沟道，门齐， SC- 75 ， SC- 89 Small Signal MOSFET −20 V, −760 mA, Single P−Channel, Gate Zener, SC−75, SC−89 | 搜索库存 |