NTA4151PT1
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ON Semiconductor
安森美
分立器件
NTA4151PT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -760 mA
通道数 1
漏源极电阻 490 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 301 mW
输入电容 156 pF
栅电荷 2.10 nC
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
栅源击穿电压 ±6.00 V
连续漏极电流Ids 760 mA
上升时间 8.2 ns
输入电容Ciss 156pF @5VVds
额定功率Max 301 mW
下降时间 8.2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 301 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SC-75-3
外形尺寸
长度 1.6 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.75 mm
封装 SC-75-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
NTA4151PT1引脚图与封装图
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在线购买NTA4151PT1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NTA4151PT1 | ON Semiconductor 安森美 | 小信号MOSFET -20 V， -760毫安，单P沟道，门齐， SC- 75 ， SC- 89 Small Signal MOSFET −20 V, −760 mA, Single P−Channel, Gate Zener, SC−75, SC−89 | 搜索库存 |
替代型号NTA4151PT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： NTA4151PT1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-416 P-Channel 20V 760mA 490mΩ 156pF | 当前型号 | 小信号MOSFET -20 V， -760毫安，单P沟道，门齐， SC- 75 ， SC- 89 Small Signal MOSFET −20 V, −760 mA, Single P−Channel, Gate Zener, SC−75, SC−89 | 当前型号 |
| 型号： NTA4151PT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-416 P-Channel -20V 760mA 490mohms | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR NTA4151PT1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 760 mA, -20 V, 0.26 ohm, -4.5 V, -450 mV | NTA4151PT1和NTA4151PT1G的区别 |