PHP225,118
数据手册.pdf
Nexperia
安世
主动器件
PHP225,118中文资料参数规格
技术参数
通道数 2
漏源极电阻 250 mΩ
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
输入电容Ciss 250pF @20VVds
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.45 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
PHP225,118引脚图与封装图
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在线购买PHP225,118
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PHP225,118 | Nexperia 安世 | MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SOIC | 搜索库存 |
替代型号PHP225,118
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PHP225,118 品牌： Nexperia 安世 封装： | 当前型号 | MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SOIC | 当前型号 |
| 型号： PHP225 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A ID, 30V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | PHP225,118和PHP225的区别 |