NSBA114YDXV6T1G
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ON Semiconductor
安森美
分立器件
NSBA114YDXV6T1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 0.5 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 80
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563-6
外形尺寸
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
高度 0.55 mm
封装 SOT-563-6
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
NSBA114YDXV6T1G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买NSBA114YDXV6T1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NSBA114YDXV6T1G | ON Semiconductor 安森美 | NSB 系列 50 V 100 mA 47 kOhm PNP 双 偏置电阻晶体管 - SOT-563 | 搜索库存 |
替代型号NSBA114YDXV6T1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： NSBA114YDXV6T1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-563 PNP -50V -100mA 500mW | 当前型号 | NSB 系列 50 V 100 mA 47 kOhm PNP 双 偏置电阻晶体管 - SOT-563 | 当前型号 |
| 型号： NSBA114YDXV6T1 品牌： 安森美 封装： SOT-563 PNP -50V -100mA | 完全替代 | SOT-563 PNP 50V 100mA | NSBA114YDXV6T1G和NSBA114YDXV6T1的区别 |
| 型号： NSBA114TDXV6T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-563 PNP -50V -100mA 500mW | 类似代替 | SOT-563 PNP 50V 100mA | NSBA114YDXV6T1G和NSBA114TDXV6T1G的区别 |
| 型号： NSBA114TDXV6T5 品牌： 安森美 封装： SOT-563 PNP -50V -100mA | 类似代替 | 双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V Dual PNP | NSBA114YDXV6T1G和NSBA114TDXV6T5的区别 |