锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

NSB1706DMW5T1G

NSB1706DMW5T1G

数据手册.pdf
ON Semiconductor 安森美 分立器件

NSB 系列 50 V 100 mA 4.7 kOhm NPN 双 偏置电阻晶体管 - SC-88A

通用 NPN ,最大 1A,On Semiconductor

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70


欧时:
ON Semiconductor NSB1706DMW5T1G, 双 NPN 晶体管, 100 mA, Vce=50 V, HFE:80, 5引脚 SOT-353 SC-88A封装


立创商城:
NSB1706DMW5T1G


e络盟:
晶体管 双极预偏置/数字, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率


艾睿:
Apply the applications of a traditional bi polar junction transistor, in digital circuits with this npn and PNP NSB1706DMW5T1G digital transistor from ON Semiconductor, ideal for any digital signal processing circuit! This product&s;s maximum continuous DC collector current is 100 mA, while its minimum DC current gain is 80@5mA@10 V. It has a maximum collector emitter saturation voltage of 0.25@1mA@10mA V. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V. Its maximum power dissipation is 385 mW. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. This transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It is made in a dual common emitter configuration.


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 5-Pin SC-70 T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 5-Pin SC-70 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  NSB1706DMW5T1G  Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 Ratio, SOT-353


NSB1706DMW5T1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

耗散功率 0.385 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 80

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 385 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 SC-70-5

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SC-70-5

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

NSB1706DMW5T1G引脚图与封装图
NSB1706DMW5T1G引脚图

NSB1706DMW5T1G引脚图

NSB1706DMW5T1G封装图

NSB1706DMW5T1G封装图

NSB1706DMW5T1G封装焊盘图

NSB1706DMW5T1G封装焊盘图

在线购买NSB1706DMW5T1G
型号 制造商 描述 购买
NSB1706DMW5T1G ON Semiconductor 安森美 NSB 系列 50 V 100 mA 4.7 kOhm NPN 双 偏置电阻晶体管 - SC-88A 搜索库存
替代型号NSB1706DMW5T1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: NSB1706DMW5T1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-353 NPN 50V 100mA 385mW

当前型号

NSB 系列 50 V 100 mA 4.7 kOhm NPN 双 偏置电阻晶体管 - SC-88A

当前型号

型号: NSB1706DMW5T1

品牌: 安森美

封装: SOT-353 NPN PNP 50V 100mA

类似代替

双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistor

NSB1706DMW5T1G和NSB1706DMW5T1的区别

型号: RN1704

品牌: 东芝

封装:

功能相似

RN1704 NPN+NPN复合带阻尼三极管 50V 100mA 80 200mW/0.2W SOT-353/usv/SC70-5 标记XD 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路

NSB1706DMW5T1G和RN1704的区别