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2SA1832F-Y

2SA1832F-Y

数据手册.pdf
Toshiba 东芝 电子元器件分类

2SA1832F-Y PNP三极管 -50V -150mA/-0.15A 80MHz 120~140 -100mV/-0.1V SOT-523/ESM marking/标记 SY 高HFE

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| −50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −50V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −150mA/-0.15A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 80MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 120~140 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -100mV/-0.1V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 100mW/0.1W Description & Applications| silicon PNP epitaxial type • High voltage: VCEO = −50 V • High current: IC = −150 mA max • High hFE: hFE = 120 to 400 • Excellent hFE linearity : hFE IC = −0.1 mA/hFE IC = −2 mA = 0.95 typ. • Complementary to 2SC4738F 描述与应用| 硅PNP外延型 •高电压:VCEO=-50 V •高电流:IC= -150 mA(最大) •高HFE:HFE=120〜400 •优秀的HFE线性   HFE(IC= -0.1毫安)/ HFE(IC=-2毫安)= 0.95(平均值) •互补2SC4738F

2SA1832F-Y中文资料参数规格
封装参数

封装 SOT-523

外形尺寸

封装 SOT-523

其他

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO −50V

集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO −50V

集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC −150mA/-0.15A

截止频率fTTranstion FrequencyfT 80MHz

直流电流增益hFEDC Current GainhFE 120~140

管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage -100mV/-0.1V

耗散功率PcPoWer Dissipation 100mW/0.1W

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符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

2SA1832F-Y引脚图与封装图
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2SA1832F-Y Toshiba 东芝 2SA1832F-Y PNP三极管 -50V -150mA/-0.15A 80MHz 120~140 -100mV/-0.1V SOT-523/ESM marking/标记 SY 高HFE 搜索库存