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PBHV8140Z,115

PBHV8140Z,115

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件

NXP  PBHV8140Z,115  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 25 MHz, 730 mW, 1 A, 155 hFE

The is a 1A NPN breakthrough-in small signal BISS Transistor in a medium power surface-mount plastic package with increased heat-sink.

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High voltage
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Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
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High collector current capability IC and ICM
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High collector current gain hFE at high IC
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AEC-Q101 qualified
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PNP complement is PBHV9540Z
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V8140Z Marking code
PBHV8140Z,115中文资料参数规格
技术参数

频率 25 MHz

针脚数 4

极性 NPN

耗散功率 730 mW

击穿电压集电极-发射极 400 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 35 @500mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 155

额定功率Max 1.45 W

直流电流增益hFE 155

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1450 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Automotive, Industrial, Lighting, Motor Drive & Control

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

PBHV8140Z,115引脚图与封装图
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在线购买PBHV8140Z,115
型号 制造商 描述 购买
PBHV8140Z,115 NXP 恩智浦 NXP  PBHV8140Z,115  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 25 MHz, 730 mW, 1 A, 155 hFE 搜索库存
替代型号PBHV8140Z,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PBHV8140Z,115

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT-223 NPN 1450mW

当前型号

NXP  PBHV8140Z,115  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 25 MHz, 730 mW, 1 A, 155 hFE

当前型号

型号: BZX79-C62

品牌: 恩智浦

封装: DO-35

功能相似

NXP  BZX79-C62  单管二极管 齐纳, 62 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C

PBHV8140Z,115和BZX79-C62的区别

型号: PBHV8140Z

品牌: 恩智浦

封装: SOT-223 NPN

功能相似

NXP  PBHV8140Z  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 25 MHz, 730 mW, 1 A, 155 hFE

PBHV8140Z,115和PBHV8140Z的区别