MT53E256M32D2DS-046 WT:B
Micron
镁光
电子元器件分类
MT53E256M32D2DS-046 WT:B中文资料参数规格
封装参数
封装 200-WFBGA
外形尺寸
封装 200-WFBGA
其他
RoHS 状态 符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 MSL 3（168 小时）
REACH 状态 非 REACH 产品
ECCN EAR99
HTSUS 8542.32.0036
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
包装 托盘
Product Status 在售
存储器类型 易失
存储器格式 DRAM
技术 SDRAM - Mobile LPDDR4
存储容量 8Gb
存储器组织 256M x 32
存储器接口 -
时钟频率 2.133 GHz
写周期时间 - 字，页 -
电压 - 供电 1.1V
工作温度 -30°C ~ 85°C（TC）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 200-WFBGA
供应商器件封装 200-WFBGA（10x14.5）
基本产品编号 MT53E256
符合标准
RoHS标准
MT53E256M32D2DS-046 WT:B引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MT53E256M32D2DS-046 WT:B | Micron 镁光 | LPDDR4 8G 256MX32 FBGA DDP | 搜索库存 |