IRF640NSTRLPBF

Infineon 英飞凌分立器件

INFINEON IRF640NSTRLPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V

N 通道功率 MOSFET 150V 至 600V，

Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

### MOSFET ，Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

IRF640NSTRLPBF中文资料参数规格

IRF640NSTRLPBF引脚图与封装图

暂无图片

在线购买IRF640NSTRLPBF

型号	制造商	描述	购买
IRF640NSTRLPBF	Infineon 英飞凌	INFINEON IRF640NSTRLPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V	搜索库存

替代型号IRF640NSTRLPBF

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： IRF640NSTRLPBF 品牌： Infineon 英飞凌封装： REEL N-Channel 200V 18A	当前型号	INFINEON IRF640NSTRLPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V	当前型号
型号： IRF640NSPBF 品牌：英飞凌封装： REEL N-Channel 200V 18A	完全替代	N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。	IRF640NSTRLPBF和IRF640NSPBF的区别
型号： IRFS4020TRLPBF 品牌：英飞凌封装： D2PAK N-CH 200V 18A	类似代替	晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 0.085 ohm, 10 V, 4.9 V	IRF640NSTRLPBF和IRFS4020TRLPBF的区别
型号： IRF640NSTRRPBF 品牌：英飞凌封装： REEL N-Channel 200V 18A	类似代替	D2PAK N-CH 200V 18A	IRF640NSTRLPBF和IRF640NSTRRPBF的区别