NTD32N06T4
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
NTD32N06T4中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 32.0 A
漏源极电阻 26.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 93.8 W
漏源极电压Vds 60.0 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 32.0 A
上升时间 84.0 ns
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252
外形尺寸
封装 TO-252
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
NTD32N06T4引脚图与封装图
暂无图片
在线购买NTD32N06T4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NTD32N06T4 | ON Semiconductor 安森美 | 32安培， 60伏， N沟道DPAK 32 Amps, 60 Volts, N−Channel DPAK | 搜索库存 |
替代型号NTD32N06T4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： NTD32N06T4 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-252 N-Channel 60V 32A 26mohms | 当前型号 | 32安培， 60伏， N沟道DPAK 32 Amps, 60 Volts, N−Channel DPAK | 当前型号 |
| 型号： FDD5690 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 60V 9A 23mohms 1.11nF | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD5690 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 60 V, 23 mohm, 10 V, 2.5 V | NTD32N06T4和FDD5690的区别 |
| 型号： NTD32N06G 品牌： 安森美 封装： TO-252 N-Channel 60V 32A 26mohms 1.72nF | 功能相似 | 60V,32A,N沟道MOSFET | NTD32N06T4和NTD32N06G的区别 |