额定功率 1 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 6 Ω
耗散功率 1 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 240 V
漏源击穿电压 240 V
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 125 pF
下降时间 24 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 5.21 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VN2406L-G引脚图
VN2406L-G封装图
VN2406L-G封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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VN2406L-G | Microchip 微芯 | 晶体管, MOSFET, DMOS, N沟道, 190 mA, 240 V, 6 ohm, 10 V, 2 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: VN2406L-G 品牌: Microchip 微芯 封装: TO-226-3 | 当前型号 | 晶体管, MOSFET, DMOS, N沟道, 190 mA, 240 V, 6 ohm, 10 V, 2 V | 当前型号 | |
型号: VN2406LZL1 品牌: 安森美 封装: TO-92Ammo N-CH 240V 0.2A | 功能相似 | 小信号MOSFET 200毫安, 240伏 Small Signal MOSFET 200 mAmps, 240 Volts | VN2406L-G和VN2406LZL1的区别 | |
型号: VN2406L 品牌: 安森美 封装: TO-92 240V 200mA | 功能相似 | 小信号MOSFET 200毫安, 240伏 Small Signal MOSFET 200 mAmps, 240 Volts | VN2406L-G和VN2406L的区别 |