NTD4813N-1G
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
NTD4813N-1G中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 13 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 1.94 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 9.00 A
上升时间 19.3 ns
输入电容Ciss 860pF @12VVds
额定功率Max 1.27 W
下降时间 19.3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1.27W Ta, 35.3W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 2.38 mm
高度 6.35 mm
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Rail
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
NTD4813N-1G引脚图与封装图
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在线购买NTD4813N-1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NTD4813N-1G | ON Semiconductor 安森美 | 40A,30V,N沟道MOSFET | 搜索库存 |
替代型号NTD4813N-1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： NTD4813N-1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-251-3 N-Channel 30V 9A 13mohms | 当前型号 | 40A,30V,N沟道MOSFET | 当前型号 |
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| 型号： NTD4813NT4G 品牌： 安森美 封装： TO-252 N-Channel 30V 9A 860pF | 功能相似 | 40A,30V,N沟道功率MOSFET | NTD4813N-1G和NTD4813NT4G的区别 |
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