NTD4813NHT4G
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
NTD4813NHT4G中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 1.94 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 9.00 A, 40.0 A
输入电容Ciss 940pF @12VVds
额定功率Max 1.27 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.27W Ta, 35.3W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
NTD4813NHT4G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买NTD4813NHT4G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NTD4813NHT4G | ON Semiconductor 安森美 | 40A,30V功率MOSFET | 搜索库存 |
替代型号NTD4813NHT4G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： NTD4813NHT4G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-252-3 N-Channel 30V 9A | 当前型号 | 40A,30V功率MOSFET | 当前型号 |
| 型号： NTD4813NT4G 品牌： 安森美 封装： TO-252 N-Channel 30V 9A 860pF | 类似代替 | 40A,30V,N沟道功率MOSFET | NTD4813NHT4G和NTD4813NT4G的区别 |
| 型号： NTD4813N-1G 品牌： 安森美 封装： TO-251-3 N-Channel 30V 9A 13mohms | 功能相似 | 40A,30V,N沟道MOSFET | NTD4813NHT4G和NTD4813N-1G的区别 |
| 型号： NTD3817N-1G 品牌： 安森美 封装： TO-251-3 N-CH 16V 10.8A | 功能相似 | 34.5A,16V功率MOSFET | NTD4813NHT4G和NTD3817N-1G的区别 |