NE5534DR2G
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ON Semiconductor
安森美
主动器件
NE5534DR2G中文资料参数规格
技术参数
无卤素状态 Halogen Free
供电电流 4 mA
电路数 1
通道数 1
耗散功率 0.75 W
共模抑制比 70 dB
转换速率 13.0 V/μs
增益频宽积 10 MHz
输入补偿电压 500 µV
输入偏置电流 500 nA
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
增益带宽 10 MHz
耗散功率Max 750 mW
共模抑制比Min 70 dB
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
NE5534DR2G引脚图与封装图 
NE5534DR2G引脚图
NE5534DR2G封装图
NE5534DR2G封装焊盘图
在线购买NE5534DR2G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NE5534DR2G | ON Semiconductor 安森美 | NE5534、SA5534、低噪声运算放大器，ON Semiconductor 小信号带宽：10 MHz 输入噪声电压：4 nV/√Hz 直流电压增益：100000 适用于音频应用 ### 运算放大器，ON Semiconductor | 搜索库存 |
替代型号NE5534DR2G
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