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NTE159-10

NTE159-10

数据手册.pdf
NTE Electronics 电子元器件分类
NTE159-10中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 625 mW

击穿电压集电极-发射极 80.0V min

封装参数

封装 83.3 °C⁄W

外形尺寸

封装 83.3 °C⁄W

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

海关信息

HTS代码 85412100959

NTE159-10引脚图与封装图
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在线购买NTE159-10
型号 制造商 描述 购买
NTE159-10 NTE Electronics Transistor; PNP; Silicon; 80V; 80V; 5V; 1A; 625mW; -55 to 150℃; 200 d 搜索库存