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ON Semiconductor 安森美 电子元器件分类
BUT33中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 400 V

集电极最大允许电流 56A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

BUT33引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BUT33 ON Semiconductor 安森美 56安培NPN硅功率达林顿晶体管600伏250瓦 56 AMPERES NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR 600 VOLTS 250 WATTS 搜索库存