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N25Q128A13ESE40F

N25Q128A13ESE40F

数据手册.pdf
Micron 镁光 主动器件

Micron### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。

闪存存储器,

### 快闪存储器

闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。


得捷:
IC FLASH 128MBIT 108MHZ 8SO


欧时:
闪存存储器,Micron### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。


艾睿:
NOR Flash Serial SPI, Dual SPI, Quad SPI 3V/3.3V 128M-bit 128M/64M/32M x 1/2-bit/4-bit 7ns 8-Pin SOIC W T/R


安富利:
NOR Flash Serial-SPI 3V/3.3V 128Mbit 128M/64M/32M x 1bit/2bit/4bit 7ns 8-Pin SO W T/R


Chip1Stop:
NOR Flash Serial SPI, Dual SPI, Quad SPI 3V/3.3V 128M-bit 128M/64M/32M x 1/2-bit/4-bit 7ns 8-Pin SO W T/R


Verical:
NOR Flash Serial SPI, Dual SPI, Quad SPI 3V/3.3V 128M-bit 128M/64M/32M x 1/2-bit/4-bit 7ns 8-Pin SOIC W T/R


N25Q128A13ESE40F中文资料参数规格
技术参数

供电电流 20 mA

存取时间Max 7 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

长度 5.49 mm

宽度 5.49 mm

高度 1.91 mm

封装 SOIC

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

N25Q128A13ESE40F引脚图与封装图
N25Q128A13ESE40F引脚图

N25Q128A13ESE40F引脚图

N25Q128A13ESE40F封装图

N25Q128A13ESE40F封装图

N25Q128A13ESE40F封装焊盘图

N25Q128A13ESE40F封装焊盘图

在线购买N25Q128A13ESE40F
型号 制造商 描述 购买
N25Q128A13ESE40F Micron 镁光 Micron ### 快闪存储器 闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。 搜索库存
替代型号N25Q128A13ESE40F
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: N25Q128A13ESE40F

品牌: Micron 镁光

封装: SO

当前型号

Micron### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。

当前型号

型号: N25Q128A13ESE40G

品牌: 镁光

封装: WSOIC 16000000B 2.7V 8Pin

完全替代

MICRON  N25Q128A13ESE40G  闪存, 或非, 128 Mbit, 16M x 8位, 108 MHz, SPI, WSOIC, 8 引脚

N25Q128A13ESE40F和N25Q128A13ESE40G的区别

型号: N25Q128A13ESE40E

品牌: 镁光

封装: SO

完全替代

NOR Flash Serial-SPI 3V/3.3V 128Mbit 128M/64M/32M x 1Bit/2Bit/4Bit 7ns 8Pin SO W Tray

N25Q128A13ESE40F和N25Q128A13ESE40E的区别